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Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 maio 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 maio 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics:Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA ESTATÍSTICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, v. 13, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, 13, 3381-3387. doi:10.1088/0953-8984/13/14/311
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Trabalho de evento-resumo
Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2001)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Program and abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs (1998)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Silva, E C F da; Levine, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Microelectronic Engineering. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidades: IF, IME
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
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ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 13 maio 2024. , 1998
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells (1998)
Lino, A T; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LINO, A T e SCOLFARO, L M R. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, v. 58, n. 11, p. 6720-6723, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Lino, A. T., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells. Physical Review B, 58( 11), 6720-6723. doi:10.1103/physrevb.58.6720
NLM
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Vancouver
Lino AT, Scolfaro LMR. Electrical and optical correlation in the study of the depopulation effect asymmetric quantum wells [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 11): 6720-6723.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.6720
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Trabalho de evento-resumo
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells (1998)
Sotomayor, N M; Soares, J A N T; Sperandio, A L; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Soares, J. A. N. T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Sotomayor NM, Soares JANT, Sperandio AL, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from 'In IND.0.15' 'Ga IND. 0.85' As/GaAs quantum wells. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A L et al. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, v. 58, n. 23, p. 15675-15687, 1998Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, 58( 23), 15675-15687.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal (1998)
Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e LEITE, J. R. e SCOLFARO, L M R. Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Silva, J. L. F. da, Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (1998). Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Silva JLF da, Leite JR, Scolfaro LMR. Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Silva JLF da, Leite JR, Scolfaro LMR. Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors (1998)
Beliaev, D; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B, v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1998). Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B, 210( 2), 777-781.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 777-781.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 777-781.[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities (1998)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B, v. 206, n. 2p. 623-633, 1998Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B, 206( 2p. 623-633).
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B. 1998 ; 206( 2p. 623-633):[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B. 1998 ; 206( 2p. 623-633):[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Enderlein, R. (1998). Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 13 ]
Artigo de periodico
Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Scolfaro, L M R; Alves, J L A; Alves, H W L
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B, v. 210, n. 2, p. 401-405, 1998Tradução . . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Silva, J. L. F. da, Scolfaro, L. M. R., Alves, J. L. A., & Alves, H. W. L. (1998). Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B, 210( 2), 401-405.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Silva JLF da, Scolfaro LMR, Alves JLA, Alves HWL. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 401-405.[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Silva JLF da, Scolfaro LMR, Alves JLA, Alves HWL. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 401-405.[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Silva, S W; Galzerani, J C; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices (1996)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados (1996)
Takahashi, E K; Lino, A T; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 13 maio 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Scolfaro LMR, Leite JR. Propriedades eletronicas de pocos quanticos simetricos e assimetricos delta dopados. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 13 ]

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